LED技术发展重点

一：LED衬底、外延及芯片，重点支持GaN基功率型高亮度蓝、绿光外延片及芯片产业化技术、四元系InGaAlP高亮度红、黄、绿光外延片及芯片产业化技术。蓝宝石图形衬底制备及GaN基LED外延生长技术；大尺寸硅衬底GaN基LED外延材料生长与芯片制造关键技术；新型非极性衬底制备及GaN基LED外延生长技术；GaN基自支撑衬底制备及同质GaN基LED外延生长技术；垂直结构功率型LED芯片制造技术；深紫外氮化物材料、器件制备研究。

二：LED封装，重点支持与集成电路工艺兼容的硅基板LED封装新工艺、适合于通用照明的新型光源模块封装形式和工艺、100lm/W以上大功率白光LED封装技术（包括结构优化，降低热阻和改善散热）。

三：LED应用产品，重点支持应用导向型大功率白光LED封装与应用共性关键技术研究；高光效、高显色、功率型白光LED产品的开发；环境友好、人眼舒适的通用照明产品的开发；半导体照明中高效二次光学系统设计关键技术研究、大尺寸超薄、动态平板显示新型半导体照明背光源关键技术研究；LED灯具的智能照明集成控制系统研究；智能信息显示技术及相关产品的开发。

四：LED配套及设备，重点支持能替代进口的高效精密自动化封装设备和功率型LED固晶、分检测试量产设备关键技术，以及外延芯片产业化生产线设备的研发。开发具有高热导系数的贴片材料、大功率专用LED封装支架及新型封装材料（如玻璃、陶瓷、金属、硅胶等）。